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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

5

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描（miáo）述（shù）：

650V,850mΩ,5A,N沟道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET



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