乐动网页版_乐动(中国)

漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流Id(on)(A)：

7

通道（dào）极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-251-3L/-55~125

描述：

650V,600mΩ,7A,N沟道（dào）基于超级结技术（shù）的功（gōng）率MOSFET


乐动网页版_乐动(中国)

乐动网页版_乐动(中国)